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    重!桂林电子科技大学潘志良教授《Nature》发表论文!

    发布日期:2021-01-29 10:10 论文发表

    近日,桂林电子科技大学机电工程学院微电子封装技术研究所潘志良教授在《自然》发表了一篇长文《Nature Communications》。本文以浙江大学和桂林电子科技大学为第一单位,通讯作者为浙江大学王教授、张泽院士和美国佛蒙特大学弗雷德里克桑索兹教授。

    本文通过原位透射电子显微镜和第一性原理计算,从原子水平揭示了面心立方金属中相干孪晶界和堆垛层错诱导的表面选择性氧化行为和动力学机制。许多研究表明,金属中的表面缺陷和表面交叉会影响其表面氧化行为,但研究人员一直不清楚其背后的动力学机制。根据原位高分辨率透射电子显微镜观察和基于量子力学的大规模第一性原理计算,发现氧原子在表面缺陷与表面相交处具有较高的结合能,使得氧化成核在这些地方优先发生。同时,表面缺陷为氧原子扩散到基体中提供了一个快速通道,使得成核氧化物可以沿着表面缺陷一层一层地快速生长到材料中。这一动力学机制的发现为通过缺陷工程改变表面的物理和化学性质来设计纳米结构材料提供了新的思路和方法。

    潘志良博士是2019年12月从海外引进的高层次急需人才,目前就职于机电学院微电子封装技术研究所。依托电子信息材料与器件教育部工程研究中心、广西电子封装与组装技术工程研究中心、广西大学微电子封装与组装技术重点实验室等科研平台,在广西专家杨道国教授的领导下,致力于解决先进电子封装、高密度组装与整机互连、可靠性设计与测试分析、电子器件与设备热管理等领域的科技难题。近年来,在柔性通用电子封装技术、第三代半导体功率封装关键技术和系统解决方案、硅键表面贴装应用关键技术、超快充电/储能模块新能源技术等工业应用方向取得了良好的成果。


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